A SPICE-Compatible Model of MOS-Type Graphene Nano-Ribbon Field-Effect Transistors Enabling Gate- and Circuit-Level Delay and Power Analysis Under Process Variation

دانشیار

دانشکده: مهندسی برق و کامپیوتر

گروه: الکترونیک

رزومه

دانشکده: مهندسی برق و کامپیوتر - گروه: الکترونیک

نویسندگان	Ying-Yu Chen, Amit Sangai, Artem Rogachev, Morteza Gholipour, Giuseppe Iannaccone, Gianluca Fiori, Deming Chen
نشریه	IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY
تاریخ انتشار	۲۰۱۵

چکیده مقاله