A variation-aware design for storage cells using Schottky-barrier-type GNRFETs

دانشیار

دانشکده: مهندسی برق و کامپیوتر

گروه: الکترونیک

رزومه

دانشکده: مهندسی برق و کامپیوتر - گروه: الکترونیک

نویسندگان	Erfan Abbasian, Morteza Gholipour
نشریه	Journal of Computational Electronics
تاریخ انتشار	۲۰۲۰

چکیده مقاله