A Reliable Low Standby Power 10T SRAM Cell With Expanded Static Noise Margins

دانشیار

دانشکده: مهندسی برق و کامپیوتر

گروه: الکترونیک

رزومه

دانشکده: مهندسی برق و کامپیوتر - گروه: الکترونیک

نویسندگان	Erfan Abbasian, Farzaneh Izadinasab, Morteza Gholipour
نشریه	IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS
تاریخ انتشار	۲۰۲۱

چکیده مقاله