A low-leakage single-bitline 9T SRAM cell with read-disturbance removal and high writability for low-power biomedical applications

دانشیار

دانشکده: مهندسی برق و کامپیوتر

گروه: الکترونیک

رزومه

دانشکده: مهندسی برق و کامپیوتر - گروه: الکترونیک

نویسندگان	Erfan Abbasian, Morteza Gholipour
نشریه	INTERNATIONAL JOURNAL OF CIRCUIT THEORY AND APPLICATIONS
تاریخ انتشار	۲۰۲۲

چکیده مقاله