Half-select disturb-free single-ended 9-transistor SRAM cell with bit-interleaving scheme in TMDFET technology

دانشیار

دانشکده: مهندسی برق و کامپیوتر

گروه: الکترونیک

رزومه

دانشکده: مهندسی برق و کامپیوتر - گروه: الکترونیک

نویسندگان	Farzaneh Izadinasab, Morteza Gholipour
نشریه	MICROELECTRONICS JOURNAL
تاریخ انتشار	۲۰۲۱

چکیده مقاله