Single-ended half-select disturb-free 11T static random access memory cell for reliable and low power applications

دانشیار

دانشکده: مهندسی برق و کامپیوتر

گروه: الکترونیک

رزومه

دانشکده: مهندسی برق و کامپیوتر - گروه: الکترونیک

نویسندگان	Erfan Abbasian, Morteza Gholipour
نشریه	INTERNATIONAL JOURNAL OF CIRCUIT THEORY AND APPLICATIONS
تاریخ انتشار	۲۰۲۱

چکیده مقاله