Transition metal dichalcogenide FET-based dynamic random-access memory

دانشیار

دانشکده: مهندسی برق و کامپیوتر

گروه: الکترونیک

رزومه

دانشکده: مهندسی برق و کامپیوتر - گروه: الکترونیک

نویسندگان	Mahdieh Raoofi, Morteza Gholipour
نشریه	INTERNATIONAL JOURNAL OF CIRCUIT THEORY AND APPLICATIONS
تاریخ انتشار	۲۰۲۴

چکیده مقاله