| ۱ | ارزيابي كارآيي سلول حافظه SRAM مبتني بر ترانزيستورهاي TMDFET در مقايسه با فناوري Si-MOSFET | فرزانه ايزدي نسب, مرتضي قلي پور گشنياني | مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران | 1400 | مقاله در نشریه |
| ۲ | بهبود نسبت جريان روشن به خاموش Ion/Ioff در ترانزيستورهاي نانو نوار گرافني نوع شاتكي | فرزانه تقي پور درزي نقيبي, مرتضي قلي پور گشنياني, بهرام عزيزاله گنجي | مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران | 1400 | مقاله در نشریه |
| ۳ | ارزيابي كارآيي سلول حافظه SRAM مبتني بر ترانزيستورهاي TMDFET در مقايسه با فناوري Si-MOSFET | فرزانه ايزدي نسب, مرتضي قلي پور گشنياني | مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران | 1400 | مقاله در نشریه |
| ۴ | بهبود نسبت جريان روشن به خاموش Ion/Ioff در ترانزيستورهاي نانو نوار گرافني نوع شاتكي | فرزانه تقي پور درزي نقيبي, مرتضي قلي پور گشنياني, بهرام عزيزاله گنجي | مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران | 1400 | مقاله در نشریه |
| ۵ | ارزيابي كارآيي سلول حافظه SRAM مبتني بر ترانزيستورهاي TMDFET در مقايسه با فناوري Si-MOSFET | فرزانه ايزدي نسب, مرتضي قلي پور گشنياني | مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران | 1400 | مقاله در نشریه |
| ۶ | بهبود نسبت جريان روشن به خاموش Ion/Ioff در ترانزيستورهاي نانو نوار گرافني نوع شاتكي | فرزانه تقي پور درزي نقيبي, مرتضي قلي پور گشنياني, بهرام عزيزاله گنجي | مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران | 1400 | مقاله در نشریه |
| ۷ | ارزيابي كارآيي سلول حافظه SRAM مبتني بر ترانزيستورهاي TMDFET در مقايسه با فناوري Si-MOSFET | فرزانه ايزدي نسب, مرتضي قلي پور گشنياني | مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران | 1400 | مقاله در نشریه |
| ۸ | بهبود نسبت جريان روشن به خاموش Ion/Ioff در ترانزيستورهاي نانو نوار گرافني نوع شاتكي | فرزانه تقي پور درزي نقيبي, مرتضي قلي پور گشنياني, بهرام عزيزاله گنجي | مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران | 1400 | مقاله در نشریه |
| ۹ | ارزيابي كارآيي سلول حافظه SRAM مبتني بر ترانزيستورهاي TMDFET در مقايسه با فناوري Si-MOSFET | فرزانه ايزدي نسب, مرتضي قلي پور گشنياني | مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران | 1400 | مقاله در نشریه |
| ۱۰ | بهبود نسبت جريان روشن به خاموش Ion/Ioff در ترانزيستورهاي نانو نوار گرافني نوع شاتكي | فرزانه تقي پور درزي نقيبي, مرتضي قلي پور گشنياني, بهرام عزيزاله گنجي | مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران | 1400 | مقاله در نشریه |
| ۱۱ | بهبود نسبت جريان روشن به خاموش Ion/Ioff در ترانزيستورهاي نانو نوار گرافني نوع شاتكي | فرزانه تقي پور درزي نقيبي, مرتضي قلي پور گشنياني, بهرام عزيزاله گنجي | مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران | 1400 | مقاله در نشریه |
| ۱۲ | ارزيابي كارآيي سلول حافظه SRAM مبتني بر ترانزيستورهاي TMDFET در مقايسه با فناوري Si-MOSFET | فرزانه ايزدي نسب, مرتضي قلي پور گشنياني | مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران | 1400 | مقاله در نشریه |
| ۱۳ | ارزيابي مشخصه فليپ فلاپ استاتيك مبتني بر ترانزيستور نانو-نوار گرافني سد شاتكي تحت تغييرات فرآيند ساخت | عرفان عباسيان, مرتضي قلي پور گشنياني | مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران | 1399 | مقاله در نشریه |
| ۱۴ | ارزيابي مشخصه فليپ فلاپ استاتيك مبتني بر ترانزيستور نانو-نوار گرافني سد شاتكي تحت تغييرات فرآيند ساخت | عرفان عباسيان, مرتضي قلي پور گشنياني | مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران | 1399 | مقاله در نشریه |
| ۱۵ | ارزيابي مشخصه فليپ فلاپ استاتيك مبتني بر ترانزيستور نانو-نوار گرافني سد شاتكي تحت تغييرات فرآيند ساخت | عرفان عباسيان, مرتضي قلي پور گشنياني | مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران | 1399 | مقاله در نشریه |
| ۱۶ | ارزيابي مشخصه فليپ فلاپ استاتيك مبتني بر ترانزيستور نانو-نوار گرافني سد شاتكي تحت تغييرات فرآيند ساخت | عرفان عباسيان, مرتضي قلي پور گشنياني | مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران | 1399 | مقاله در نشریه |
| ۱۷ | ارزيابي مشخصه فليپ فلاپ استاتيك مبتني بر ترانزيستور نانو-نوار گرافني سد شاتكي تحت تغييرات فرآيند ساخت | عرفان عباسيان, مرتضي قلي پور گشنياني | مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران | 1399 | مقاله در نشریه |
| ۱۸ | ارزيابي مشخصه فليپ فلاپ استاتيك مبتني بر ترانزيستور نانو-نوار گرافني سد شاتكي تحت تغييرات فرآيند ساخت | عرفان عباسيان, مرتضي قلي پور گشنياني | مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران | 1399 | مقاله در نشریه |
| ۱۹ | تحليل و بررسي تاثير پارامترهاي طراحي فليپ فلاپ استاتيك بر مشخصه هاي زماني و توان مصرفي آن در تكنولوژي 16 نانومتر | احسان محمودي, مرتضي قلي پور گشنياني | مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران | 1398 | مقاله در نشریه |
| ۲۰ | تحليل و بررسي تاثير پارامترهاي طراحي فليپ فلاپ استاتيك بر مشخصه هاي زماني و توان مصرفي آن در تكنولوژي 16 نانومتر | احسان محمودي, مرتضي قلي پور گشنياني | مهندسي برق و مهندسي كامپيوتر ايران | 1398 | مقاله در نشریه |