Modelling of Drain Current of MOSFET Transistor in Terms of Gate Oxide Thickness

استاد

دانشکده: مهندسی برق و کامپیوتر

گروه: الکترونیک

رزومه

دانشکده: مهندسی برق و کامپیوتر - گروه: الکترونیک

نویسندگان	Masoud Pourgholam, Bahram Azizollah-Ganji
نشریه	Majlesi Journal of Electrical Engineering
تاریخ انتشار	۲۰۱۶

چکیده مقاله